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产品详细

产品名称: 艾贝特激光锡球焊锡机引领半导体行业未来发展

发布日期: 2020-10-03 16:28

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简述:  半导体行业大有可为,艾贝特激光焊锡机强势赋能赋智。本年,环球半导体行业历经千帆结果迎来曙光。加倍邦内,成为了环球半导体资产新增产能的中枢区域。正在资产移动和邦产替

产品详情

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  半导体行业大有可为,艾贝特激光焊锡机强势赋能赋智。本年,环球半导体行业历经千帆结果迎来曙光。加倍邦内,成为了环球半导体资产新增产能的中枢区域。正在资产移动和邦产替换提速的机缘之下,中邦半导体资产迎来春天,增速分明疾于环球程度,具有优良的生长潜力。

  家喻户晓,半导体位于电子行业中逛,其存正在组成了电脑、手机、电航空航天、军事装置等电子产物的中枢零部件。而这些电子产物直接对邦内经济生长出现症结影响。所以,半导体资产是维持经济社会生长和保护邦度安静的根本性和策略性资产。

  跟着半导体资产生长和升级,其激光焊锡手艺也成了重中之重,亟需高端激光焊机开发赋能赋智。环视当下,半导体激光焊锡是统统行业面对的困难之一,但这个行业从不缺乏英勇的开垦者和立异者,持续闪现的科技成绩,也将半导体激光焊锡逐步推向了潮头。半导体缜密零部件打算流程繁琐庞杂,临蓐及格以至优质的零部件,其切确焊锡必弗成少。而正在激光焊锡范畴深耕众年的艾贝特,告成地为半导体激光焊锡打制了聪颖“军器”。

  动作环球主动智能激光锡焊呆板人装置研发临蓐的著名品牌之一,艾贝特永远承受着“用匠心精神,为‘中邦质制’保驾护航”的企业文明,争当环球工艺手艺引颈者,僵持持续超卓立异,为客户供给高本能、高牢靠性、安静环保的激光焊锡产物和专业的手艺效劳,现已具备成熟的研发技能和周围化临蓐技能,已申请了众项创造专利,获取了众项适用新型专利证书,所研发临蓐的产物征求锡球喷射激光焊锡机、全主动保障管穿丝激光焊接机,广大行使于线材类、通信、FPC柔性线途板、汽车电子、半导体等范畴。

  艾贝特激光锡球焊锡机,高质料连气儿光纤激光,对相应规格的SAC305锡球举行再融,附以必定压的氮气将液态锡球喷射熔覆正在母材上,最终形氧化的焊点。

  动作一种新型的焊接开发,艾贝特激光锡球焊锡机的呈现旨趣杰出。相对付古代的热风枪锡焊和电烙铁锡焊,其没有开发上部件的损耗,也许针对半导体器件中薄壁质料、缜密零件的焊接,实行点焊、对接焊、叠焊、密封焊等,激光加工精度高,热影响区小,可依据半导体元器件引线的类型实行差异的加热外率获取类似的焊接质料;另外,焊接速率疾,焊缝平整、好看,焊后无需措置或只需简便措置,焊缝质料高,聪明性好,聚焦性好,易于实行众工位装配的主动化,如集成电途焊接、晶圆引线焊接(温度传感器磁传感器电撒布感器)等。面临持续升温的半导体激光焊锡需求,艾贝特将持续地研究和寻求,以众维的视野洞察市集走势,研发出更具逐鹿力的中枢产物,引颈行业他日生长新趋向,无间实行胀舞高端缜密焊接手艺生长的愿景。

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  9月28日,芯驰科技官方宣告曾经完工A轮5亿群众币融资。本轮融资由和利血本领投,经纬中邦、中电华登、....

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  芯片失效明白步调 1. 开封前查抄,外观查抄,X光查抄,扫描声学显微镜查抄。2. 开封显微镜查抄。3. 电本能明白,缺陷定位手艺、...

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  Broadcom TO294YSx是一款10Gb / s光发射机系列,正在TO-中集成了高速电汲取激光器(EML),微型TEC和看管器PD。可同轴包装。它打算用于小型可插拔收发器和其他类型的光模块,用于高速电信和数据通讯行使,征求SONET OC-192,SDH STM-64和10G以太网。 功效 数据速度高达10.7 Gb / s 链接间隔最大40 km,速率为10 Gb / s 温度稳固 TEC功耗非凡低 50单端数据输入 外壳职业温度周围:-40至+85°C 行使 10G光收发器模块(XFP,X2,XENPAK和SFP +) 用于SONET / SDH的300针转发器 10GbE接口 线GHz信道间隔DWDM...

  247Ex-1490是一款单模周围发射激光二极管芯片,发射波长为1490 nm,实用于输出功率高达75 mW的非制冷行使。该打算是正在n型衬底上孕育的带帽的台面掩埋异质构造(CMBH),具有大量子阱(MQW)有源层和分散反应(DFB)光栅层。刻面正在前刻面上涂有抗反射层,正在后刻面上涂有高反射涂层。正在p侧和n侧都供给金焊盘。出于识别主意,芯片两侧城市呈现一个十六进制数字。通盘激光芯片都来自曾经行使代外性的很众器件举行认证的晶片,这些器件务必到达可承担的老化和众温度CW测试产量。每个出厂裸芯片都正在25摄氏度下举行脉冲测试。 性格 高输出功率 低光束发散角 可粘合纠合或纠合 久经检验的现场牢靠性汗青永久 打算牢靠性,征求高质料MOCVD外延 专利低浸透欧姆p接触打算 专利的接合侧焊盘,供给焊料浸透的障蔽 职业温度 5°C至+ 75°C...

  725型25 Gb / s EML芯片载体(CoC)是一种光学子组件,由1.3微米电子汲取调制激光器构成( EML)安置正在金属化平台上。 CoC曾经过吹扫和电光测试,可撑持25 Gb / s的行使。该载波有四个LAN-WDM波长通道,共4次; 25Gb / s传输。 功效 也许传输高达28 Gb / s LAN-WDM均匀值为~1296,1300,1305标称值1309 nm,4次; 25/28 Gb / s传输行使 职业温度45~60℃ CMBH大量子阱DFB构造 高度牢靠 用于高ER /低Vpp的高带宽调制器...

  247Ex-1310是一款单模周围发射激光二极管芯片,发射频率为1310 nm,实用于输出功率高达75mW的非制冷行使。该打算是正在n型衬底上孕育的带帽的台面掩埋异质构造(CMBH),具有大量子阱(MQW)有源层和分散反应(DFB)光栅层。刻面正在前刻面上涂有抗反射层,正在后刻面上涂有高反射涂层。正在p侧和n侧都供给金焊盘。出于识别主意,芯片两侧城市呈现一个十六进制数字。通盘激光芯片都来自曾经行使代外性的很众器件举行认证的晶片,这些器件务必到达可承担的老化和众温度CW测试产量。每个出厂裸芯片都正在25摄氏度下举行脉冲测试。 性格 高输出功率 低光束发散角 可粘合纠合或纠合 久经检验的现场牢靠性汗青永久 打算牢靠性,征求高质料MOCVD外延 专利低浸透欧姆p接触打算 专利的接合侧焊盘,供给焊料浸透的障蔽 职业温度 5°C至+ 75°C...

  Broadcom AFCD-V54JZ 850nm 25 Gb / s 1x4阵列氧化物GaAs基笔直腔面发射激光器(VCSEL),具有150微米厚的基板。 VCSEL阵列专为高速光数据通讯行使而打算,可出现圆对称的窄光束,通过妥贴的镜头,可将光功率有用耦合到50 / 125um和62.5 / 125um众模光纤中。 / div

  功效 850nm波长周围 数据速度从DC到25Gb / s 高功率输出 实用于非密封境况 行使 100GbE QSFP28有源光缆(AOC)

  Broadcom AFCD-V51KC1 850nm 25 Gb / s氧化镓GaAs基笔直腔面发射激光器(VCSEL),具有150微米厚的基板。 VCSEL专为高速光数据通讯行使而打算,可将光功率有用耦合到50 / 125um和62.5 / 125um众模光纤中。 功效 850nm波长周围 数据速度从DC到25Gb / s 适宜100 Gb以太网 高功率输出 实用用于非密封境况 行使顺序 25GbE SR SFP28可插拔收发器 25GbE SFP28有源光缆(AOC)

  AFCD-V21KA2 10 Gb / s 850nm氧化物VCSEL

  Broadcom AFCD-V21KA2是一款850nm 10 Gb / s氧化镓GaAs基笔直腔面发射激光器(VCSEL),具有150微米厚的基板,专为高速光学打算数据通讯行使。 VCSEL打算用于适宜IEEE 802.3ae 10GBASE-SR的10Gb / s以太网链途,可将光功率有用耦合到50 / 125um和62.5 / 125um众模光纤中。 功效 850nm波长周围 数据速度从DC到10.3125 Gb / s 温度周围从5C到+ 75C 实用于非密封境况 行使 10GbE SR SFP +可插拔收发器 10GbE SFP +有源光缆(AOC) )...

  Broadcom AFCD-V51KC是一款850nm 28 Gb / s氧化镓GaAs基笔直腔面发射激光器(VCSEL),具有150微米厚的基板。 VCSEL专为高速光数据通讯行使而打算,可将光功率有用耦合到50 / 125um和62.5 / 125um众模光纤中。 功效 850nm波长周围 数据速度从DC到28Gb / s 高功率输出 实用于非密封境况 行使 25GbE SFP28有源光缆(AOC)

  OPA4388 10MHz、CMOS、零漂移、零交叉、真 RRIO 缜密运算放大器

  OPAx388(OPA388,OPA2388和OPA4388)系列高精度运算放大器是超低噪声,敏捷稳固,零漂移,零交叉器件,可实行轨到轨输入和输出运转。这些性格及优异互换本能与仅为0.25μV的偏移电压以及0.005μV/°C的温度漂移相纠合,使OPAx388成为驱动高精度模数转换器(ADC)或缓冲高阔别率数模转换器(DAC)输出的理念抉择。该打算可正在驱动模数转换器(ADC)的历程中实行优异本能,不会低落线(单通道版本)供给VSSOP-8,SOT23 -5和SOIC-8三种封装.OPA2388(双通道版本)供给VSSOP-8和SO-8两种封装.OPA4388(四通道版本)供给TSSOP-14和SO-14两种封装。上述通盘版本正在-40°C至+ 125°C扩展工业温度周围内额定运转。 性格 超低偏移电压:±0.25μV 零漂移:±0.005μV/°C 零交叉:140dB CMRR实质RRIO 低噪声:1kHz时为7.0nV /√ Hz 无1 /f噪声:140nV

  PP (0.1Hz至10Hz) 敏捷稳固:2μs(1V至0.01%) 增益带宽:10MHz 单电源:2.5V至5.5V 双电源:±1.25V至±2.75V 的确轨到轨输入和输出 已滤除电磁搅扰( EMI)/射频搅扰(RFI)的输入 行业标...

  TLV2314-Q1 3MHz、低功耗、内置 EMI 滤波器的 RRIO 运算放大器

  TLVx314-Q1系列单通道,双通道和四通道运算放大器是新一代低功耗,通用运算放大器的典范代外。该系列器件具有轨到轨输入和输出(RRIO)摆幅,低静态电流(5V时典范值为150μA),3MHz高带宽等性格,非凡实用于需求正在本钱与本能间实行优良平均的各式电池供电型行使。 TLVx314-Q1系列可实行1pA低输入偏置电流,是高阻抗传感器的理念抉择。 TLVx314-Q1器件采用妥当耐用的打算,便当电途打算职员行使。该器件具有单元增益稳固性,撑持轨到轨输入和输出(RRIO),容性负载高达300PF,集成RF和EMI克制滤波器,正在过驱要求下不会呈现反相而且具有高静电放电(ESD)护卫(4kV人体模子(HBM))。 此类器件经历优化,适合正在1.8V(±0.9V)至5.5V(±2.75V)的低电压状况下职业并可正在-40°C至+ 125°C的扩展工业温度周围内额定运转。 TLV314-Q1(单通道)采用5引脚SC70和小外形尺寸晶体管(SOT)-23封装.TLV2314-Q1(双通道版本)采用8引脚小外形尺寸集成电途(SOIC)封装和超薄外形尺寸(VSSOP)封装。四通道TLV4314-Q1采用14引脚薄型小外形尺寸(TSSOP)封装。 性格 适宜汽车类行使的哀求 具...

  DRV5021器件是一款用于高速行使的低压数字开合霍尔效应传感器。该器件采用2.5V至5.5V电源职业,可检测磁通密度,并依据预订义的磁阈值供给数字输出。 该器件检测笔直于封装面的磁场。当施加的磁通密度领先磁操作点(B OP )阈值时,器件的漏极开途输出驱动低电压。当磁通密度低落到小于磁开释点(B RP )阈值时,输出变为高阻抗。由B OP 和B RP 诀别出现的滞后有助于防范输入噪声惹起的输出偏差。这种修设使体系打算愈加巨大,可抗拒噪声搅扰。 该器件可正在-40°C至+ 125°C的宽境况温度周围内始终不渝地职业。 性格 数字单极开合霍尔传感器 2.5 V至5.5 V职业电压V CC 周围 磁敏锐度选项(B OP ,B RP ): DRV5021A1:2.9 mT,1.8 mT DRV5021A2:9.2 mT,7.0 mT DRV5021A3:17.9 mT,14.1 mT 敏捷30-kHz觉得带宽 开漏输出也许到达20 mA 优化的低压架构 集成滞后以巩固抗噪技能 职业温度周围:-40° C至+ 125°C 尺度工业封装: 外面贴装SOT-23 通盘字号均为其各自通盘者的产业。 参数 与其它产物比拟 霍尔效应锁存器和开合   Type Supply Voltage (Vcc) (Min) (V...

  TLV1805-Q1 具相合断功效的 40V 微功耗推挽式汽车类高电压比拟器

  TLV1805-Q1高压比拟器供给宽电源周围,推挽输出,轨到轨输入,低静态电流,合断的特别组合和敏捷输出相应。通盘这些性格使该比拟器非凡适合需求检测正或负电压轨的行使,如智能二极管把握器的反向电流护卫,过流检测和过压护卫电途,此中推挽输出级用于驱动栅极p沟道或n沟道MOSFET开合。 顶峰值电流推挽输出级是高压比拟器的特别之处,它具有承诺输出主动驱动负载到电源轨的上风具有敏捷周围速度。这正在MOSFET开合需求被驱动为高或低以便将主机与无意高压电源贯穿或断开的行使中加倍有价钱。低输入失调电压,低输入偏置电流和高阻态合断等附加功效使TLV1805-Q1足够聪明,可能措置简直任何行使,从简便的电压检测到驱动单个继电器。 TLV1805-Q1适宜AEC-Q100尺度,采用6引脚SOT-23封装,额定职业温度周围为-40°C至+ 125°C。 性格 AEC-Q100适宜以下结果: DeviceTemperature 1级:-40°C至+ 125°C境况温度职业温度 器件HBMESD分类品级2 器件CDM ESD分类品级C4A 3.3 V至40 V电源周围 低静态电流:每个比拟器150μA 两个导轨以外的输入共样板围 相位反转护卫 推 - 拉输出 250ns宣称延迟 低输入失...

  这个长途温度传感器平凡采用低本钱分立式NPN或PNP晶体管,或者基板热晶体管/二极管,这些器件都是微措置器,模数转换器(ADC),数模转换器(DAC),微把握器或现场可编程门阵列(FPGA)中弗成或缺的部件。当地和长途传感器均用12位数字编码示意温度,阔别率为0.0625°C。此两线制串口承担SMBus通讯公约,以及众达9个差异的引脚可编程地方。 该器件将诸如串联电阻抵消,可编程非理念性因子(η因子),可编程偏移,可编程温度局限和可编程数字滤波器等高级性格圆满纠合,供给了一套确切度和抗扰度更高且妥当耐用的温度监控处置计划。 TMP461-SP是正在各式分散式遥测行使中举行众地点高精度温度衡量的理念抉择这类集成式当地和长途温度传感器可供给一种简便的办法来衡量温度梯度,进而简化了航天器维持行径。该器件的额定电源电压周围为1.7V至3.6V,额定职业温度周围为-55 °C至125°C。 性格 适宜QMLV尺度VXC 热巩固型HKU封装 经测试,正在50rad /s的高剂量率(HDR)下,可抗拒高达50krad(Si)的电离辐射总剂量(TID) 经测试,正在10mrad /s的低剂量率(LDR)下,可抗拒高达100krad(Si)的电离辐射...

  LP87524P-Q1 用于 AWR 和 IWR MMIC 的四个 4MHz 降压转换器

  LP87524B /J /P-Q1旨正在知足各式汽车电源行使中最新措置器安适台的电源打点哀求。该器件包罗四个降压DC-DC转换器内核,修设为4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和enableignals把握。 主动PFM /PWM(主动形式)操作可正在宽输出电流周围内最大限制地进步恶果。 LP87524B /J /P-Q1撑持长途电压检测,以赔偿稳压器输出和负载点(POL)之间的IR压降,从而进步输出电压的精度。另外,开合时钟可能强制为PWM形式,也可能与外部时钟同步,以最大限制地省略搅扰。 LP87524B /J /P-Q1器件撑持负载电流衡量,无需扩充外部电流检测电阻器。另外,LP87524B /J /P-Q1还撑持可编程的启动和合上延迟以及与信号同步的序列。这些序列还可能征求GPIO信号,以把握外部稳压器,负载开合和措置器复位。正在启动和电压蜕化功夫,器件把握输出压摆率,以最大限制地省略输出电压过冲和浪涌电流。 性格 适宜汽车行使哀求 AEC-Q100适宜以下结果: 开发温度品级1:-40°C至+ 125°C境况职业温度 输入电压:2.8 V至5.5 V 输出电压:0.6 V至3.36 V 四个高效降压型DC-DC转换器内核: 总输出电流高达10 A 输出电压泄电率...

  TAS2562 具有扬声器 IV 检测功效的数字输入单声道 D 类音频放大器

  TAS2562是一款数字输入D类音频放大器,经历优化,也许有用地将顶峰值功率驱动到小型扬声器行使中。 D类放大器也许正在电压为3.6 V的情形下向6.1负载供给6.1 W的峰值功率。 集成扬声器电压和电流检测可实行对扬声器的及时监控。这承诺正在将扬声器依旧正在安静操作区域的同时胀舞峰值SPL。具有防范掉电的电池跟踪峰值电压局限器可优化统统充电周期内的放大器裕量,防范体系合上。 I 2 S /TDM + I中最众可有四个器件共用一个大家总线 mm间距CSP封装,尺寸紧凑。 高本能D类放大器 6.1 W 1%THD + N(3.6 V时4Ω) 5 W 1%THD + N(正在3.6 V时为8Ω) 15μVrmsA加权空闲信道噪声 112.5dB SNR为1%THD + N(8Ω) 100dB PSRR,200 mV PP 纹波频率为20 - 20 kHz 83.5%恶果为1 W (8Ω,VBAT = 4.2V) < 1μAHW合断VBAT电流 扬声器电压和电流检测 VBAT跟踪峰值电压局限器,具有欠压防守 8 kHz至192 kHz采样率 聪明的用户界面 I 2 S /TDM:8通道(32位/96 kHz) I 2

  LM358B和LM2904B器件是业界尺度的LM358和LM2904器件的下一代版本,征求两个高压(36V)操作放大器(运算放大器)。这些器件为本钱敏锐型行使供给了超卓的价钱,具有低失调(300μV,典范值),共模输入接地周围和高差分输入电压技能等特质。 LM358B和LM2904B器件简化电途打算具有巩固稳固性,3 mV(室温下最大)的低偏移电压和300μA(典范值)的低静态电流等巩固功效。 LM358B和LM2904B器件具有高ESD(2 kV,HBM)和集成的EMI和RF滤波器,可用于最巩固,极具境况挑拨性的行使。 LM358B和LM2904B器件采用微型封装,比方TSOT-8和WSON,以及行业尺度封装,征求SOIC,TSSOP和VSSOP。 性格 3 V至36 V的宽电源周围(B版) 供应 - 电流为300μA(B版,典范值) 1.2 MHz的单元增益带宽(B版) 普及 - 形式输入电压周围征求接地,使能接地直接接地 25°C时低输入偏移电压3 mV(A和B型号,最大值) 内部RF和EMI滤波器(B版) 正在适宜MIL-PRF-38535的产物上,除非另有注解,不然通盘参数均经历测试。正在通盘其他产物上,临蓐加工不必定征求通盘参数的测试。 所...

  LP8756x-Q1器件专为知足各式汽车电源行使中最新措置器安适台的电源打点哀求而打算。该器件包罗四个降压直流/直流转换器内核,这些内核可修设为1个四相输出,1个三相和1个单相输出,2个两相输出,1个两相和2个单相输出,或者4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号举行把握。 主动脉宽调制(PWM)到脉频调制(PFM)操作( AUTO形式)与主动增相和切相相纠合,可正在较宽输出电流周围内最大限制地进步恶果.LP8756x-Q1撑持对众相位输出的长途差分电压检测,可赔偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而进步输出电压的精度。另外,可能强制开合时钟进入PWM形式以及将其与外部时钟同步,从而最大限制地低落搅扰。 LP8756x- Q1器件撑持正在不增加外部电流检测电阻器的情形下举行负载电这个序列或者征求用于把握外部稳压器,负载开合和措置器复位的GPIO信号。正在启动和电压蜕化功夫,该器件会对输出压摆率举行把握,从而最大限制地减小输出电压过冲和浪涌电流。 性格 适宜汽车类尺度 具有适宜AEC-Q100尺度的下列性格: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的境况运转温度周围 器件HBM ESD分类品级2 器件CDM ES...

  LM290xLV系列征求双途LM2904LV和四途LM2902LV运算放大器。这些器件由2.7V至5.5V的低电压供电。 这些运算放大器可能替换低电压行使中的本钱敏锐型LM2904和LM2902。有些行使是大型电器,烟雾探测器和私人电子产物.LM290xLV器件正在低电压下可供给比LM290x器件更佳的本能,而且功效耗尽。这些运算放大用具有单元增益稳固性,而且正在过驱情形下不会呈现相位反转.ESD打算为LM290xLV系列供给了起码2kV的HBM规格。 LM290xLV系列采用行业尺度封装。这些封装征求SOIC,VSSOP和TSSOP封装。 性格 实用于本钱敏锐型体系的工业尺度放大器 低输入失调电压:±1mV

  共模电压周围征求接地 单元增益带宽:1MHz的 低宽带噪声:40nV /√赫兹 低静态电流:90μA/通道 单元增益稳固 可正在2.7V至5.5V的电源电压下运转 供给双通道和四通道型号

  苛肃的ESD规格:2kV HBM 扩展温度周围:-40°C至125°C 通盘字号均为各自通盘者的产业。 参数 与其它产物比拟 通用 运算放大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Voltage (Max) (+5V...

  LP8756x-Q1器件专为知足各式汽车电源行使中最新措置器安适台的电源打点哀求而打算。该器件包罗四个降压直流/直流转换器内核,这些内核可修设为1个四相输出,1个三相和1个单相输出,2个两相输出,1个两相和2个单相输出,或者4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号举行把握。 主动脉宽调制(PWM)到脉频调制(PFM)操作( AUTO形式)与主动增相和切相相纠合,可正在较宽输出电流周围内最大限制地进步恶果.LP8756x-Q1撑持对众相位输出的长途差分电压检测,可赔偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而进步输出电压的精度。另外,可能强制开合时钟进入PWM形式以及将其与外部时钟同步,从而最大限制地低落搅扰。 LP8756x- Q1器件撑持正在不增加外部电流检测电阻器的情形下举行负载电这个序列或者征求用于把握外部稳压器,负载开合和措置器复位的GPIO信号。正在启动和电压蜕化功夫,该器件会对输出压摆率举行把握,从而最大限制地减小输出电压过冲和浪涌电流。 性格 适宜汽车类尺度 具有适宜AEC-Q100尺度的下列性格: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的境况运转温度周围 器件HBM ESD分类品级2 器件CDM ES...

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